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BlockBeats News, 26 de fevereiro, a especulação do mercado em torno da Jane Street reacendeu a discussão sobre o mecanismo de negociação do ETF spot de Bitcoin. Analistas apontaram que a criação e o resgate de cotas de ETF spot podem ser facilitados por Participantes Autorizados (APs) sob um quadro regulatório de ordem de isenção, sem necessariamente exigir a compra ou venda imediata de Bitcoin no mercado aberto; em casos como o contango de futuros, os APs também podem fazer hedge por meio de futuros e outros produtos derivativos, levando a um descompasso temporal entre os fluxos de entrada de fundos no ETF e a pressão de compra no mercado spot e a ação de preço de curto prazo. Relatórios citaram insiders do setor afirmando que o mecanismo acima é uma operação comum e legítima dos ETFs, e não implica diretamente má conduta de qualquer instituição específica, mas também reflete que a descoberta de preço do Bitcoin está sendo cada vez mais influenciada por ambientes de negociação institucionais (como o mercado de futuros). (Decrypt)

Glonghui, 26 de fevereiro｜Após o fechamento do mercado na quarta-feira, horário do leste dos EUA, durante a teleconferência de resultados da Nvidia, o CEO Jensen Huang comentou sobre o tema dos “data centers espaciais”, afirmando que, embora atualmente a eficiência econômica desses data centers seja baixa, ela continuará melhorando no futuro. O ambiente operacional no espaço é completamente diferente do da Terra; portanto, as soluções tecnológicas para data centers espaciais diferem significativamente das terrestres, mas atualmente já existem várias rotas tecnológicas competindo para serem implementadas. Olhando para o futuro, Jensen Huang acredita que a IA terá cenários de aplicação extremamente promissores no setor espacial.

Gelonghui, 26 de fevereiro｜De acordo com TheElec, a Samsung Electronics poderá encerrar já em março deste ano a produção de memória flash 2D NAND na linha 12 do complexo de Hwaseong, marcando oficialmente o fim da era da 2D NAND para a empresa. A Samsung Electronics já havia iniciado a produção em massa da 3D NAND (V-NAND) em 2013, mas manteve uma capacidade limitada de produção de 2D NAND para atender demandas de nichos específicos. No futuro, a linha 12 de Hwaseong será dedicada à fabricação de memória DRAM de 1c nm, responsável pelos processos de interconexão metálica e tratamento de superfície na etapa final.